凌讯微电子上架了高压mos CS3N120A和CS8N90A两款新品，封装为TO-220F，在其封装里采用的是一颗芯片。

       高压mos具有超小内阻，结电容适中，散热性能好，高温漏电小等特点，应用于LED驱动，小家电，工业开关电源等领域。

       下面由凌讯微电子来介绍一下这两款产品的参数：

       首先要介绍的是CS3N120A，电性参数为3A 1200V，内阻为5.1Ω；CS8N90A的电性参数为8A 900V，内阻为1.3Ω。这两款产品的共同点是：采用的封装是TO-220F；最低工作温度为-55摄氏度，最高工作温度为+150摄氏度

       详细参数如下图：（如需pdf格式的规格书，请致电联系相关业务员：0769-23388126）