早期工艺仅仅支持N MOS来实现逻辑功能，如今采用N MOs加P MOS是因为MOS管的占据面积远远小于电阻的面积，并且具有更高的放大倍数！这是一个比较典型的非门电路，流过MOS管的电流会很大。

    当输入高电平时，流过MOS管的电流会很大。这时就需要串入电阻，即Rd进行限流，不过此时消耗的功率已经很大了，想要获得绝对低的漏电流和较低功耗。实际是使用MOS管来实现基本逻辑门会更好。因此上述电路，我们选择用一个P MOS管来替代电阻。

     就构成了一个互补MOS飞门，即C MOS反向器。当输入高电平时，下管的N MOS导通，导通电阻为兆欧级别，上管P MOS截止.等效兆欧级别.飞门输出为低电平，输出电压Vout接近于0，输出电压Vout接近于0，电路的功耗大大降低:当输入低电平时，下管N MOS截止，上管P MOS导通.非门输出为高电频，输出电压Vout接近于VDD.消耗电流取决于out的接收端，C MOS反向器接近于一个理想的逻辑单元。

    其输出电压接近0或者VDD，反向器在处理高频信号时，一般有几个重要的指标，如果反向器在实现过渡时不够迅速，那么就会导致在处理高频信号时，出现失真。

    总的来说，当只用一个MOS管时，就需要上拉电阻，但这样会导致结构较大，静态功耗也大.而当把N MOS和P MOS放在一个基板成对用，C MOS规定P MOS上拉，N MOS下拉.反向器静态工作时，总能输出高质量的高低电平，且不依赖于上拉下拉电阻.并且获得了很低的静态功耗！

    凌讯微电子是一家专注功率半导体器件研发、封装测试、销售于一体的国家高新技术企业，致力于成为卓越的功率半导体器件制造商，助力功率半导体核心器件国产化，能够为客户提供高质量，高可靠性的功率器件产品及全方位的技术支持，现有肖特基、LowVF肖特基、快恢复、高压MOS、中低压MOS、超结MOS、IGBT单管及SiC（碳化硅）二极管等主力产品线，产品广泛应用于各类电源适匹器、LED照明、无刷马达，锂电管理，逆变等领域。