凌讯微MOS管与IGBT，助力微型逆变器效率提升
微型逆变器，一般指的是光伏发电系统中的功率小于等于1000瓦、具组件级MPPT的逆变器，全称是微型光伏并网逆变器。“微型”是相对于传统的集中式逆变器而言的。传统的光伏逆变方是
将所有的光伏电池在阳光照射下生成的直流电全部串并联在一起，再通过一个逆变器将直流电逆变成交流电接入电网；微型逆变器则对每块组件进行逆变。其优点是可以对每块组件进行独立的MPPT
控制，能够大幅提高整体效率，同时也可以避免集中式逆变器具有的直流高压、弱光效应差、木桶效应等。
微型逆变器作为光伏发电系统的核心组件，其性能与功率器件的选型密切相关。凌讯微针对不同功率需求，提供了基于MOSFET 和IGBT的多样化解决方案。
宽功率范围（250W-2000W）
型号：LC65R099 封装TO-220F 耐压 650V，电流：35A 导通电阻 RDSON：99毫欧
型号：LC65R190F TO-220F 650V 20A 180毫欧
型号：LG90N15AG 150V 90A 8.2毫欧
型号：LG50N15AG 150V 50A 15.6毫欧
特点：超结MOSFET（650V):如LC65R系列，支持高功率密度设计，适用于调制电路。
低压低阻MOSFET(150V)：如LG**N15系列。导通电阻低至8.2mΩ，优化反激拓扑效率。
针对高功率段（>800W），架构1引入IGBT以降低导通损耗，提升系统可靠性：
型号：LGT40N65HB 封装：TO-247 耐压：650V 电流 40A VCE（sat):1.7
型号：LGT60N65HB 封装：TO-247 耐压：650V 电流 60A VCE（sat):1.8
特点：高耐压（650V）与低饱和压降（1.7V），平衡开关损耗与导通性能，适用于高频调制场景。
中低功率范围（250W-800W )
特点：低压MOSFET（85V）：如LG**N85系列，导通电阻低至3.6mΩ，支持全桥拓扑的高频开关需求。
紧凑封装（TO-252/PDFN）：优化空间布局，适配小型化设计。
对比与选型建议
功率覆盖：架构1（250W-2000W）：MOSFET+IGBT组合，适合宽范围功率需求，高功率段依赖IGBT的低损耗特性。架构2（250W-800W）：全MOSFET方案，以高集成度满足中低功率场景。
拓扑适配：架构1支持反激拓扑，架构2适配全桥拓扑，需根据系统设计要求选择。
效率与成本：低压MOSFET（如85V/150V）在低功率段效率更优，而IGBT在高功率段更具成本效益。
凌讯微始终致力于为工程师伙伴提供更灵活、更贴心的产品选择。无论是中小功率的轻量化设计，还是高功率场景下的稳定需求，我们通过多样化的MOSFET与IGBT组合方案，让您能够轻松匹配项目中的功率目标、电路结构以及成本规划。
选型时，只需聚焦核心需求——高效率的MOSFET可赋能轻载场景，而高可靠性的IGBT则能扛起大功率重任。两种技术路线相辅相成，助您在性能与成本之间找到最优解，让每一款微型逆变器都能高效运行、长久稳定。如果您对我们的产品感兴趣，欢迎随时联系我们，也可登录我们的官网www.lxmicro.com进一步了解。
